企业价值观

企业价值观

成就客户、团队协作、自我批判、开放进取、合作共赢
 企业目标

企业目标

围绕工业自动化、机器人、新能源、工业传感等行业,为其提供受制于国外的核心芯片和关键部件等。
企业使命

企业使命

以先进的半导体技术推动人类进步

关于我们

About us

安芯微半导体(ISOMICRON) 源于2016年在中国成立的芯片方案公司,核心成员来自于华为海思和国内著名771研究所,方案公司专注于光电隔离器件及半导体光电材料等方面的研发和设计,为欧系和台系光耦品牌提供设计方案及其技术服务,由其设计的产品已广泛应用于工控、机器人、医疗、新能源、轨道交通、智能家电等行业,产品遍及世界各地。

2020年华为海思网络处理芯片设计团队加入,并与中国工控行业技术专家强强联合。从工业互联产品特性和客户需求出发,提供端到端的、芯片级解决方案。为客户实现远程监控、远程调试、Web组态、API接口等功能。支持不同品牌和协议的工控设备联网。

目前在德国、中国台湾、深圳、大连等地均有研发设计团队。目前公司已获中国知名投资机构、哈工大校友会基金等的投资,目前拥有中国大陆和中国台湾共二个生产基地。

2016年

公司前身成立

5名

世界级半导体专家

1000+家

服务上千家客户

4大

 研发中心 

行业应用

INDUSTRY APPLICATION

01

工业控制

伺服驱动、变频器、PLC、运控控制、机器人以及工业互联等。

02

电力电子

工业焊机、工业电源、电网检测、电能质量、无功补偿以及UPS等。

03

新能源

光伏逆变、风能逆变、充电桩、电动车、储能以及电池保护与管理等。

04

智能家电

智能卫浴、变频家电、暖通空调、家电控制板以及UPS等。

产品分类

PRODUCT CATEGORY

3N150
3N150
BVDSS:1500V RDS(ON),Typ: 5.4Ω ID:3A
4N32, 4N33
4N32, 4N33
The 4N32, 4N33 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar darlington phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
4NXX
4NXX
The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
6N136_135
6N136_135
The 6N135, 6N136 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon high speed photo transistor in a plastic DIP8 package with different lead forming options. A separate design between photodiode and transistor reduces the base collector capacitance of the input transistor which improves the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor optocouplers.
6N137
6N137
The 6N137 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon high speed integrated photo-detector logic gate with a strobable output in a plastic DIP8 package with different lead forming options.
6N139_138
6N139_138
The 6N138 and 6N139 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon high speed photo darlington transistor in a plastic DIP8 package with different lead forming options. A separate design between photodiode and darlington transistor reduces the base-collector capacitance of the input transistor which improves the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor optocouplers.
CNY17-X, CNY17F-X
CNY17-X, CNY17F-X
The CNY17-X, CNY17F-X series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
H11GXX-X
H11GXX-X
The H11G1 H11G2 H11G3 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar darlington phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.

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